[发明专利]一种化学机械研磨方法在审

专利信息
申请号: 201611135969.5 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN108214108A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 唐强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B37/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 研磨 晶圆 层间绝缘层 研磨液 金属钨层 化学机械研磨 钨插塞 去除 开口 残留 产品良率 增加生产 填充 损伤 覆盖
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供待研磨晶圆,所述晶圆包括具有开口的层间绝缘层,以及覆盖所述层间绝缘层并填充所述开口的金属钨层;

对所述晶圆进行第一研磨,以去除所述层间绝缘层上的大部分所述金属钨层;

对所述晶圆进行第二研磨,以去除所述层间绝缘层上剩余的所述金属钨层,形成钨插塞;

清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一研磨和所述第二研磨分别在第一研磨台和第二研磨台上进行。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液的方法包括在水磨液中停留或使用水磨液对所述晶圆进行研磨。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述水磨液的研磨和所述第二研磨在同一研磨台上进行。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述使用水磨液对所述晶圆进行研磨的研磨时间大于3秒。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液后,对所述晶圆进行第三研磨。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第三研磨所采用的研磨液包括氧化物研磨液。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述水磨液的研磨时间为4‐7秒。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,进行所述第二研磨时的研磨台的参数设置为:研磨台的转速为100-110rpm/min,研磨头的转速为30-35rpm/min,研磨头的压力为6-6.5psi,研磨盘的转速为20-25rpm/min,研磨盘的压力为5-5.5psi,所述第二研磨液的流量为200-220mL/min。

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,使用所述水磨液进行研磨时的所述研磨台的参数设置为:研磨台的转速为85-90rpm/min,研磨头的转速为25-30rpm/min,研磨头的压力为5-5.5psi,研磨盘的转速为15-20rpm/min,研磨盘的压力为4.5-5psi,水磨液的流量为180-200mL/min。

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对所述晶圆进行第二研磨的步骤后,在清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液的步骤前,还包括用去离子水清洗的步骤。

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