[发明专利]使用热与机械强化层的装置及其制造方法有效
申请号: | 201611135570.7 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106952831B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 余振华;苏安治;陈威宇;陈英儒;林宗澍;张进传;陈宪伟;吴伟诚;叶德强;黄立贤;吴集锡 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片,将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中,在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片,将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方,以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。 | ||
搜索关键词: | 使用 机械 强化 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装方法,其包括:/n将第一第一层级装置裸片和第二第一层级装置裸片附接到虚设裸片;/n将所述第一第一层级装置裸片和所述第二第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中;/n形成多个第一贯穿通路,其中所述第一贯穿通路包括从所述第一第一层级装置裸片的第一部分中的金属垫生长的贯穿通路;/n附接第二层级装置裸片,所述第二层级装置裸片包括与所述第一第一层级装置裸片重叠的第一部分和与所述第二第一层级装置裸片重叠的第二部分;/n将所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片囊封于第二囊封材料中,其中囊封所述第一第一层级装置裸片和所述第二第一层级装置裸片,以及囊封所述第一贯穿通路和所述第二层级装置裸片是单独的囊封过程;以及/n在所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线,所述重布线电耦合到所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片,所述虚设裸片、所述第一第一层级装置裸片、所述第二第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料是复合晶片的一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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