[发明专利]使用热与机械强化层的装置及其制造方法有效
申请号: | 201611135570.7 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106952831B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 余振华;苏安治;陈威宇;陈英儒;林宗澍;张进传;陈宪伟;吴伟诚;叶德强;黄立贤;吴集锡 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 机械 强化 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片,将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中,在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片,将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方,以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。
技术领域
本发明实施例是关于一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。
背景技术
堆叠裸片通常用于三维(3D)集成电路中。经由裸片的堆叠,降低封装的覆盖区(尺寸架构)。此外,经由堆叠裸片的形成,显著简化于裸片中绕线的金属线。
在一些常规应用中,堆叠多个裸片,形成裸片堆叠,其中所述多个裸片包含贯穿衬底通路(TSV,有时称为贯穿硅通路)。堆叠的裸片总数有时可达到八或更多。当形成此一裸片堆叠时,在封装衬底上,经由倒装芯片接合,先接合第一裸片,其中回焊焊料区/球以结合第一裸片到封装衬底。第一底胶填充分散于第一裸片与封装结构之间的间隙。而后,硬化第一底胶填充。而后进行测试,确保第一裸片适当连接到封装衬底,以及第一裸片与封装衬底具有所要的功能。
接着,第二裸片经由倒装芯片接合而接合到第一裸片上,其中回焊焊料区/球以结合第二裸片到第一裸片。第二底胶填充分散于第二裸片与第一裸片之间的间隙中。而后,硬化第二底胶填充。而后,进行测试,以确保第二裸片正确连接到第一裸片与封装衬底,以及第一裸片、第二裸片、以及封装衬底具有所要的功能。接着,第三裸片经由与接合第一裸片及第二裸片相同的过程步骤接合到第二裸片上。重复所述过程直到所有裸片被接合。
发明内容
本发明的一些实施例是提供一种方法,其包括将第一层级装置裸片附接到虚设虚设裸片;将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中;形成位于所述第一层级装置裸片上方并且电耦合到所述第一层级装置裸片的多个第一贯穿通路;将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方;将所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片囊封于第二囊封材料中;以及在所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线,所述重布线电耦合到所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片,所述虚设虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料是复合晶片的一部分。
本发明的一些实施例是提供一种方法,其包括将挡片附接于载体上方,其中所述挡片是无集成电路装置;薄化所述挡片;将多个第一层级装置裸片附接到所述薄化的挡片;将多个第二层级装置裸片堆叠于所述第一层级装置裸片上方;形成电耦合到所述第一层级装置裸片的多个贯穿通路;在所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线并且将所述重布线电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片;以及进行裸片切割,以将所述挡片、所述第一层级装置裸片、以及所述第二层级装置裸片分离成为多个封装,所述多个封装各自包括所述挡片中的虚设虚设裸片、所述第一层级装置裸片中的一者、以及所述第二层级装置裸片中的一者。
本发明的一些实施例是提供一种封装,其包括虚设虚设裸片;第一层级装置裸片,位于所述虚设虚设裸片上方并且附接到所述虚设虚设裸片;第一囊封材料,囊封所述第一层级装置裸片;第二层级装置裸片,位于所述第一层级装置裸片上方;多个贯穿通路,重叠且电连接到所述第一层级装置裸片,其中所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片同阶层;第二囊封材料,在其中囊封所述第二层级装置裸片与所述贯穿通路;以及多个重布线,位于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造