[发明专利]使用热与机械强化层的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种封装方法，其包括：

将第一第一层级装置裸片和第二第一层级装置裸片附接到虚设裸片；

将所述第一第一层级装置裸片和所述第二第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中；

形成多个第一贯穿通路，其中所述第一贯穿通路包括从所述第一第一层级装置裸片的第一部分中的金属垫生长的贯穿通路；

附接第二层级装置裸片，所述第二层级装置裸片包括与所述第一第一层级装置裸片重叠的第一部分和与所述第二第一层级装置裸片重叠的第二部分；

将所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片囊封于第二囊封材料中，其中囊封所述第一第一层级装置裸片和所述第二第一层级装置裸片，以及囊封所述第一贯穿通路和所述第二层级装置裸片是单独的囊封过程；以及

在所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线，所述重布线电耦合到所述第一贯穿通路与所述第二层级装置裸片，所述虚设裸片、所述第一第一层级装置裸片、所述第二第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料是复合晶片的一部分。

2.根据权利要求1所述的封装方法，进一步包括：

在附接所述第一第一层级装置裸片之前，将所述虚设裸片附接到载体，其中所述虚设裸片是无有源装置和无源装置的空白裸片；以及

在形成所述重布线之后，从所述虚设裸片将所述载体脱离。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其中所述虚设裸片是未切割挡片的一部分，且所述方法进一步包括：

薄化所述未切割的挡片，所述第一第一层级装置裸片附接到所述薄化的未切割挡片中的所述虚设裸片；以及

将所述复合晶片成切割为多个封装，所述薄化的挡片被切割为多个虚设裸片，其中所述多个虚设裸片包括所述虚设裸片。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其中所述虚设裸片是分离的裸片，且所述方法进一步包括切割所述复合晶片，以形成包括所述虚设裸片的封装，其中所述虚设裸片的边缘与所述封装的个别最近边缘相隔。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其中所述虚设裸片是由同质材料形成。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其中所述虚设裸片包括硅，且是无有源装置、无源装置和传导线的空白裸片。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其中所述虚设裸片包括空白金属板或空白介电板。

8.根据权利要求1所述的封装方法，进一步包括：

在所述第一第一层级装置裸片与所述第一贯穿通路上方形成多个第二贯穿通路并且将所述第二贯穿通路电耦合到所述第一第一层级装置裸片与所述第一贯穿通路；

将第三层级装置裸片附接于所述第二层级装置裸片上方；以及

将所述第二贯穿通路与所述第三层级装置裸片囊封于第三囊封材料中，其中所述重布线形成于所述第三囊封材料上方。

9.一种封装方法，其包括：

将挡片附接于载体上方，其中所述挡片是无集成电路装置；

薄化所述挡片；

将多个第一层级装置裸片附接到所述薄化的挡片，其中所述第一层级装置裸片包括第一第一层级装置裸片和第二第一层级装置裸片；

将多个第二层级装置裸片堆叠于所述第一层级装置裸片上方，其中所述多个第二层级装置裸片中的一者包括与所述第一第一层级装置裸片重叠的第一部分和与所述第二第一层级装置裸片重叠的第二部分；

形成电耦合到所述第一层级装置裸片的多个贯穿通路，其中所述贯穿通路包括从所述第一第一层级装置裸片的一部分中的金属垫生长的贯穿通路；

在所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方形成多个重布线并且所述重布线电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片；以及

进行裸片切割，以将所述挡片、所述第一层级装置裸片、以及所述第二层级装置裸片分离成为多个封装，所述多个封装中的每一者包括所述挡片中的虚设裸片、所述第一层级装置裸片中的一者、以及所述第二层级装置裸片中的一者。