[发明专利]基于经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法有效
| 申请号： | 201611109702.9 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108153926B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郭永新;黄安东;仲正 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人： | 迟承柏;邵新华 |
| 地址： | 新加坡新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括一种基于非线性电容经验公式和电流源经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法，包括以下步骤：测量一组所述半导体器件在不同环境温度和不同静态偏置的组合下的散射参数；确定一组外部寄生参数；建立所述半导体器件的一个小信号等效电路模型；基于所述确定的外部寄生参数，从所述的一组散射参数中去嵌掉所述外部寄生参数，以获得一组所述半导体器件的所述小信号等效电路模型的内部参数；用所述非线性电容经验公式建立一个非线性电容模型；用所述电流源经验公式建立一个电流源模型；以及用所述一组内部参数、所述非线性电容模型、所述电流源模型建立所述半导体器件的一个大信号等效模型。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 经验 公式 半导体器件 建立 解析 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种基于非线性电容经验公式和电流源经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法，包括以下步骤：(a)测量一组所述半导体器件在不同环境温度和不同静态偏置的组合下的散射参数；(b)确定一组外部寄生参数；(c)建立所述半导体器件的一个小信号等效电路模型；(d)基于所述确定的外部寄生参数，从所述的一组散射参数中去嵌掉所述外部寄生参数，以获得一组所述半导体器件的所述小信号等效电路模型的内部参数；(e)用所述非线性电容经验公式建立一个非线性电容模型；(f)用所述电流源经验公式建立一个电流源模型；以及(g)用所述一组内部参数、所述非线性电容模型、所述电流源模型建立所述半导体器件的一个大信号等效模型。
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