[发明专利]绝缘栅双极性晶体管

摘要

本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。

主权项

一种绝缘栅双极性晶体管，具备：半导体基板；发射极，其被配置在所述半导体基板的上表面上；集电极，其被配置在所述半导体基板的下表面上；矩形沟槽，其在所述上表面上以矩形形状而延伸；栅电极，其被配置在所述矩形沟槽内，并且通过绝缘膜而与所述半导体基板以及所述发射极绝缘，所述矩形沟槽具备：第一沟槽，其在所述上表面上以直线状而延伸；第二沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第一连接部而与所述第一沟槽连接；第三沟槽，其在所述上表面上向与所述第二沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第二连接部而与所述第二沟槽连接；第四沟槽，其在所述上表面上向与所述第一沟槽以及所述第三沟槽不同的方向以直线状而延伸，并且通过第三连接部而与所述第三沟槽连接，并通过第四连接部而与所述第一沟槽连接，所述栅电极跨及所述第一沟槽的内部、所述第二沟槽的内部、所述第三沟槽的内部以及所述第四沟槽的内部而配置，所述半导体基板具备：发射区，其为n型，并被配置在被所述矩形沟槽所包围的矩形区域内，且与所述发射极相接；体接触区，其为p型，并被配置在所述矩形区域内，且与所述发射极相接；表层体区，其为p型，并被配置在所述矩形区域内，且与所述发射极相接，并且与所述体接触区相比p型杂质浓度较低；分离体区，其为p型，且相对于所述发射区、所述体接触区以及所述表层体区而从下侧相接，并与所述第一沟槽至第四沟槽相接，并且与所述体接触区相比p型杂质浓度较低；漂移区，其为n型，并被配置在所述分离体区的下侧，且通过所述分离体区而与所述发射区分离，并且与所述第一沟槽至第四沟槽的下端相接；集电区，其为p型，并被配置在所述漂移区的下侧，且通过所述漂移区而与所述分离体区分离，并且与所述集电极相接，所述发射区具备：第一发射区，其与所述第一沟槽相接；第二发射区，其与所述第三沟槽相接，所述体接触区具备：第一体接触区，其与所述第二沟槽相接；第二体接触区，其与所述第四沟槽相接；所述表层体区具备：第一表层体区，其在从所述第一连接部起至所述第一发射区的范围内与所述第一沟槽相接；第二表层体区，其在从所述第二连接部起至所述第二发射区的范围内与所述第三沟槽相接；第三表层体区，其在从所述第三连接部起至所述第二发射区的范围内与所述第三沟槽相接；第四表层体区，其在从所述第四连接部起至所述第一发射区的范围内与所述第一沟槽相接。