[发明专利]一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法有效
| 申请号： | 201611101547.6 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783716B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿基;许燕丽;王江;朱庆芳 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;叶碎银 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，包括以下步骤：1)、在制备性能器件之前，在外延片正面设置保护层；2)、在外延片背面镀上一层金属膜；3)、将外延片与保护层分离；4)、在外延片表面制备所需的性能器件；5)、去除外延片背面的金属膜，并减薄外延片至所需厚度。本发明通过在外延片背面镀上一层金属膜，以此增强外延片的强度，且不会影响前段制程正常作业，从而降低外延片在前段制程中的破片几率，节约生成成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 易碎 基底 半导体 制程中 破片 方法 | ||
【主权项】：
一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、在制备性能器件之前，在外延片正面设置保护层；2)、在外延片背面镀上一层金属膜；3)、将外延片与保护层分离；4)、在外延片表面制备所需的性能器件；5)、去除外延片背面的金属膜，并减薄外延片至所需厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
