[发明专利]一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法有效
| 申请号： | 201611101547.6 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783716B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿基;许燕丽;王江;朱庆芳 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;叶碎银 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 易碎 基底 半导体 制程中 破片 方法 | ||
1.一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)、在制备性能器件之前，在外延片正面设置保护层；
2)、在外延片背面镀上一层金属膜；
3)、将外延片与保护层分离；
4)、在外延片表面制备所需的性能器件；
5)、去除外延片背面的金属膜，并减薄外延片至所需厚度；
所述外延片为易碎基底，所述易碎基底为锗基或磷化铟基。
2.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述步骤5)中，采用研磨工艺去除外延片背面的金属膜。
3.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述步骤5)中，采用研磨工艺减薄外延片的厚度。
4.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述金属膜的厚度为1-2μm。
5.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述金属膜为惰性金属膜。
6.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述保护层为载片，该载片与外延片正面键合。
7.根据权利要求1所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述保护层为保护膜，该保护膜粘贴在外延片正面。
8.根据权利要求6所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述载片为蓝宝石载片。
9.根据权利要求6所述的降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，其特征在于：所述载片的厚度为0.3-0.7mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
