[发明专利]一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法

说明书

本发明公开了一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，包括以下步骤：1)、在制备性能器件之前，在外延片正面设置保护层；2)、在外延片背面镀上一层金属膜；3)、将外延片与保护层分离；4)、在外延片表面制备所需的性能器件；5)、去除外延片背面的金属膜，并减薄外延片至所需厚度。本发明通过在外延片背面镀上一层金属膜，以此增强外延片的强度，且不会影响前段制程正常作业，从而降低外延片在前段制程中的破片几率，节约生成成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法。

背景技术

锗基器件与磷化铟基器件由于其不可替代的优势，在半导体产业中有着广泛应用。例如：由于高电子迁移率、高光电转换效率及高抗辐射阈值，锗衬底广泛应用于太阳能电池中。其中锗衬底高效太阳能电池在空间应用比例已超过80％。InP基器件具有高频、低噪声、高效率、抗辐照等特点，成为W波段以及更高频率毫米波电路的首选材料。但锗基与磷化铟基很脆弱，在前段制程中容易破裂,且破片几率随着晶圆尺寸的增加而增长。在晶圆制程中，产线良率与生产成本成反比。故在制程中，降低破片率对降低生产成本而言，至关重要。

发明内容

本发明提供了一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，用于解决易碎基底在半导体制程中破片率高的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法，包括以下步骤：

1)、在制备性能器件之前，在外延片正面设置保护层；

2)、在外延片背面镀上一层金属膜；

3)、将外延片与保护层分离；

4)、在外延片表面制备所需的性能器件；

5)、去除外延片背面的金属膜，并减薄外延片的厚度。

进一步的，所述步骤5)中，采用研磨工艺去除外延片背面的金属膜。

进一步的，所述步骤5)中，采用研磨工艺减薄外延片的厚度。

进一步的，所述金属膜的厚度为1-2μm。

进一步的，所述金属膜为惰性金属膜。

进一步的，所述步骤1)中，所述保护层为载片，该载片与外延片正面键合。

所述步骤1)中，所述保护层为保护膜，该保护膜粘贴在外延片正面。

进一步的，所述载片为蓝宝石载片。

进一步的，所述载片的厚度为0.3-0.7mm。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

通过在外延片背面镀上一层金属膜，以此增强外延片的强度，且不会影响前段制程正常作业，从而降低外延片在前段制程中的破片几率，节约生成成本。

以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明；但本发明的一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法不局限于实施例。

附图说明

图1是本发明的外延片键合后的结构示意图；

图2是本发明的外延片镀上金属膜后的结构示意图；

图3是本发明的外延片与载片分离后的结构示意图；

图4是本发明的外延片表面制备所需的性能器件后的结构示意图；

图5是本发明的外延片去除金属膜后的结构示意图；

图6是本发明的外延片减薄厚的结构示意图。

具体实施方式