[发明专利]一种硅纳米线的制作方法在审
| 申请号： | 201611076495.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783618A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种硅纳米线的制作方法，其主要步骤为一硅半导体材料衬底；一硅锗半导体牺牲层；一硅沟道层；一硅锗欧姆接触层；在该外延晶圆片上生长SiO2保护层；利用电子束光刻的方法制作50纳米宽度的纳米线结构；采用干法刻蚀的方法刻蚀深度直到硅衬底的鳍状结构；采用选择性腐蚀溶液腐蚀掉鳍状部分中硅锗牺牲层和硅锗欧姆接触层；采用数字腐蚀的方法细化硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线的制作方法，其主要步骤为：(1)准备一硅半导体材料衬底作为基片；(2)在硅基片上生长20纳米厚的Si0.8Ge0.2半导体牺牲层；(3)在Si0.8Ge0.2半导体牺牲层上生长20纳米厚的硅沟道层；(4)在硅沟道层上生长30纳米厚的硅锗欧姆接触层；(5)在该外延生长完成后的基片上采用PECVD的方法生长SiO2保护层20纳米；(6)利用电子束光刻的方法制作中间位20纳米宽度的纳米线哑铃状图案；(7)采用干法刻蚀的方法刻蚀深度直到硅衬底的鳍状结构；(8)采用湿法腐蚀的方法腐蚀掉鳍状部分中硅锗牺牲层和硅锗欧姆接触层；(9)去除电子束光刻胶；(10)采用数字腐蚀的方法细化硅纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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