[发明专利]一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201611048928.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449810B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 屈飞;李辉;古宏伟;丁发柱;张贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/065;H01L31/0725;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、导电层、本征氧化锌绝缘层、n型CdS缓冲层、梯度禁带宽度吸收层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CdTe吸收层和p型CIGS吸收层。本发明利用CIGS吸收层和CdTe吸收层组成梯度吸收层，拓宽了吸收层的太阳光谱利用范围，进一步提高了太阳电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdte cigs 梯度 吸收 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdTe/CIGS梯度吸收层薄膜太阳能电池，自下而上依次包括衬底、导电层、本征氧化锌绝缘层、n型CdS缓冲层、梯度禁带宽度吸收层和上电极；所述梯度禁带宽度吸收层自下而上包括p型CdTe吸收层和p型CIGS吸收层；所述p型CdTe吸收层的厚度为0.8～1.0μm；所述CIGS吸收层的厚度为1.0～1.3μm；所述CIGS吸收层中Ga的掺杂量为0～10％；所述导电层为锡酸镉导电层。
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- 雷岩;谷龙艳;贾会敏;杨晓刚;杨健康;郑露露;郑直;褚君浩 - 许昌学院
- 2015-04-13 - 2017-10-27 - H01L31/0296
- 本发明所要解决的问题是克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。
- 一种光电器件及其制备方法-201710315015.0
- 不公告发明人 - 苏州市皎朝纳米科技有限公司
- 2017-05-07 - 2017-08-25 - H01L31/0296
- 本发明公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种硫化镉/碲化镉异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。本发明还公开了这种器件的制备方法。
- 一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-201621124857.5
- 王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 2016-10-14 - 2017-08-08 - H01L31/0296
- 本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
