[发明专利]一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611041194.5 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106783970B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵杨杨;刘洪军;庸安明;应贤炜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 黄天天 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种射频VDMOS晶体管的场板结构及其制备方法，在硅衬底外延层表面的中间位置形成锥形氧化层，通过对外延层和锥形氧化层上方覆盖的掺杂多晶硅进行选择性刻蚀，形成分离的栅和场板结构，其中，场板位于锥形氧化层上方，栅位于锥形氧化层两侧。本发明提出的栅与场板的分离结构减小了场板引起的栅漏反馈电容，改善了器件的高频特性，适用于P波段VDMOS器件的应用，场板下锥形氧化层有助于降低界面电场，增加器件可靠性，栅与场板的距离易于控制且对称性较好，提高了场板保护性能，另外，与常规的VDMOS工艺制程完全兼容，同时形成栅和场板结构，不增加额外的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 vdmos 晶体管 板结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种射频VDMOS晶体管的场板结构，其特征在于，在硅衬底外延层表面的中间位置形成锥形氧化层，通过对外延层和锥形氧化层上方覆盖的掺杂多晶硅进行选择性刻蚀，形成分离的栅和场板结构，其中，场板位于锥形氧化层上方，栅位于锥形氧化层两侧。
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