[发明专利]一种具有金属半导体装置在审
| 申请号： | 201611038943.9 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091688A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明为一种具有金属半导体装置，在半导体结漂移层内设置金属层，为网格结构或者多个平行金属线，设置半导体结并联半导体装置包括MIS、串连PN结、电荷补偿、电阻，以此促进反向偏压下漂移层快速耗尽，降低导通电阻，改善提高器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属半导体 半导体结 漂移层 半导体装置 平行金属线 导通电阻 电荷补偿 反向偏压 网格结构 金属层 并联 串连 电阻 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种具有金属半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；一个或多个平行金属层，位于漂移层中，平行于衬底层和漂移层接触面，金属层由网格结构或多个平行线状金属构成，金属层两边半导体材料通过金属层内空缺互连；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁设置绝缘材料层，沟槽内填充导电材料，导电材料为金属、重掺杂多晶硅或重掺杂无定形硅；半导体结，位于沟槽之间漂移层表面，为肖特基势垒结或PN结；上下表面电极金属，位于半导体装置上下表面，上表面电极金属连接半导体结表面和导电材料表面。
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