[发明专利]锗硅半导体合金的制备方法在审
申请号: | 201611026168.5 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN106783530A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李东键;骆薇薇;陈学敏 | 申请(专利权)人: | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司44380 | 代理人: | 吴雅丽 |
地址: | 519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种锗硅半导体合金的制备方法,其其包括以下步骤制备具有{0001}c面的单晶氧化铝作为蓝宝石衬底;在上述的单晶氧化铝上生长立方金刚石结构的锗硅合金,该锗硅合金具有{111}晶体平面;该立方金刚石结构的锗硅合金的<110>方向,与所述的{0001}c面的单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>方向对齐,也即锗硅合金的<110>晶向与单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>互相平行;其中,所述的立方金刚石结构的锗硅合金中的硅原子和锗原子的百分比满足硅原子锗原子=(0.70‑0.74)(0.30‑0.26)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 合金 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锗硅半导体合金的制备方法,其特征在于:其包括以下步骤:制备具有{0001}c面的单晶氧化铝作为蓝宝石衬底;在上述的单晶氧化铝上生长立方金刚石结构的锗硅合金,该锗硅合金具有{111}晶体平面;该立方金刚石结构的锗硅合金的<110>方向,与所述的{0001}c面的单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>方向对齐,也即锗硅合金的<110>晶向与单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>互相平行;其中,所述的立方金刚石结构的锗硅合金中的硅原子和锗原子的百分比满足:硅原子:锗原子=(0.70‑0.74):(0.30‑0.26)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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