[发明专利]锗硅半导体合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611026168.5 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN106783530A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 李东键;骆薇薇;陈学敏 申请(专利权)人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司44380 代理人: 吴雅丽
地址: 519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种锗硅半导体合金的制备方法,其其包括以下步骤制备具有{0001}c面的单晶氧化铝作为蓝宝石衬底;在上述的单晶氧化铝上生长立方金刚石结构的锗硅合金,该锗硅合金具有{111}晶体平面;该立方金刚石结构的锗硅合金的<110>方向,与所述的{0001}c面的单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>方向对齐,也即锗硅合金的<110>晶向与单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>互相平行;其中,所述的立方金刚石结构的锗硅合金中的硅原子和锗原子的百分比满足硅原子锗原子=(0.70‑0.74)(0.30‑0.26)。
搜索关键词: 半导体 合金 制备 方法
【主权项】:
一种锗硅半导体合金的制备方法,其特征在于:其包括以下步骤:制备具有{0001}c面的单晶氧化铝作为蓝宝石衬底;在上述的单晶氧化铝上生长立方金刚石结构的锗硅合金,该锗硅合金具有{111}晶体平面;该立方金刚石结构的锗硅合金的<110>方向,与所述的{0001}c面的单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>方向对齐,也即锗硅合金的<110>晶向与单晶氧化铝的<1,0,‑1,0>互相平行;其中,所述的立方金刚石结构的锗硅合金中的硅原子和锗原子的百分比满足:硅原子:锗原子=(0.70‑0.74):(0.30‑0.26)。
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