[发明专利]下电极结构及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201610991863.9 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074787A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 苏恒毅;昌锡江;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;刘悦晗 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种下电极结构及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的载片台，在载片台内设置有第一电极，通过向第一电极加载第一偏压，在晶片的上表面形成负偏压；并且，在载片台的外周壁上环绕设置有介质组件，用以阻挡等离子体接触载片台的外周壁，以及限定晶片的位置。下电极结构还包括第二电极，该第二电极设置在介质组件中，通过向第二电极加载第二偏压，在介质组件的上表面形成第二负偏压。本发明提供的下电极结构，其可以调节晶片边缘处的电场强度和方向，从而可以消除因边缘效应导致的工艺形貌畸变，进而可以提高晶片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极结构 载片台 第二电极 介质组件 半导体加工设备 第一电极 负偏压 上表面 外周壁 加载 晶片 形貌 等离子体接触 边缘效应 承载晶片 环绕设置 晶片边缘 晶片良率 畸变 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种下电极结构，包括用于承载晶片的载片台，在所述载片台内设置有第一电极，通过向所述第一电极加载第一偏压，在所述晶片的上表面形成负偏压；并且，在所述载片台的外周壁上环绕设置有介质组件，用以阻挡等离子体接触所述载片台的外周壁，以及限定所述晶片的位置，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极设置在所述介质组件中，通过向所述第二电极加载第二偏压，在所述介质组件的上表面形成第二负偏压。
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