[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在第一隔离层顶部形成具有开口的停止层，开口底部暴露出所述第二隔离层顶部；在开口侧壁上形成保护层；在保护层上形成填充满所述开口的第三隔离层，且第三隔离层的材料与所述保护层的材料不同；去除所述停止层；回刻蚀去除部分厚度的第一隔离层以及第三隔离层，回刻蚀工艺对第三隔离层的刻蚀速率大于对保护层的刻蚀速率；在所述相邻第一鳍部之间以及相邻第二鳍部之间的第一隔离结构上分别形成栅极，所述栅极横跨所述第一鳍部和第二鳍部，且覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分顶部和侧壁；在所述第二隔离结构上形成伪栅。本发明提高形成的第二隔离结构的性能，从而改善形成的鳍式场效应管的电学性能。

主权项

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上具有多个相互平行的第一鳍部以及多个相互平行的第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一鳍部的延伸方向上；/n在相邻所述第一鳍部之间以及相邻所述第二鳍部之间形成第一隔离层，且还在所述第一鳍部与第二鳍部之间形成第二隔离层，在垂直于所述第一鳍部延伸方向上，所述第二隔离层贯穿所述第一隔离层；/n在所述第二隔离层顶部形成具有开口的停止层，所述开口底部暴露出所述第二隔离层顶部；/n在所述开口侧壁上形成保护层；/n在所述保护层上形成填充满所述开口的第三隔离层，且所述第三隔离层的材料与所述保护层的材料不同；/n去除所述停止层，暴露出所述第一隔离层顶部；/n回刻蚀去除部分厚度的第一隔离层以及第三隔离层，剩余第一隔离层作为相邻第一鳍部之间以及相邻第二鳍部之间的第一隔离结构，所述第二隔离层、剩余第三隔离层以及保护层作为第一鳍部与第二鳍部之间的第二隔离结构，其中，所述回刻蚀工艺对所述第三隔离层的刻蚀速率大于对所述保护层的刻蚀速率；/n在所述相邻第一鳍部之间以及相邻第二鳍部之间的第一隔离结构上分别形成栅极，所述栅极横跨所述第一鳍部和第二鳍部，且覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分顶部和侧壁，同时在所述第二隔离结构上形成伪栅。/n