[发明专利]多阈值电压晶体管及其形成方法有效
申请号: | 201610962602.4 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108022879B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 周飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种多阈值电压晶体管及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底上具有层间介质层和贯穿层间介质层的三个开口,三个开口用于形成第一类型的晶体管;在第一开口、第二开口和第三开口的侧壁和底部形成第二类型的第一功函数层、位于第一功函数层上第一类型的第二功函数层;去除第一开口中的第二功函数层后,对第一开口中的第一功函数层进行改性处理,形成改性功函数层,改性功函数层的有效功函数值大于第一功函数层的有效功函数值;之后去除第二开口中的第二功函数层;之后在三个开口的侧壁和底部形成第一类型的第三功函数层。所述方法增大了多阈值电压晶体管阈值电压调节范围,且提高了多阈值电压晶体管电学性能的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 阈值 电压 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多阈值电压晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有层间介质层和贯穿层间介质层的第一开口、第二开口和第三开口,第一开口、第二开口、第三开口用于形成第一类型的晶体管;在第一开口、第二开口和第三开口的侧壁和底部形成第二类型的第一功函数层、位于第一功函数层上第一类型的第二功函数层;去除第一开口中的第二功函数层后,对第一开口中的第一功函数层进行改性处理,使第一开口中的第一功函数层形成改性功函数层,所述改性功函数层的有效功函数值大于第一功函数层的有效功函数值;进行所述改性处理后,去除第二开口中的第二功函数层;去除第二开口中的第二功函数层后,在第一开口、第二开口和第三开口的侧壁和底部形成第一类型的第三功函数层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造