[发明专利]一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法有效
| 申请号： | 201610943892.8 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108022972B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐哲;温家良;金锐;王耀华;刘江;赵哿;高明超;崔磊;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低通态压降 igbt 及其 控制 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种低通态压降IGBT，其特征在于，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；所述栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；所述集电极淀积在所述N型衬底的P+集电区上。
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