[发明专利]磁存储芯片封装的磁屏蔽方法在审
| 申请号： | 201610939819.3 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978531A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 叶力;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁存储芯片封装的磁屏蔽方法，用磁屏蔽材料制成的薄片将芯片包裹起来，达到磁屏蔽效果。包括如下步骤(1)将磁屏蔽材料加工成微米级厚度的薄片，按照芯片的尺寸对薄片进行切割，根据芯片所需引脚数目和位置在薄片上开孔；(2)将加工好的薄片平整地粘接在基板衬底的相应位置，依靠导热粘结剂将芯片粘贴在薄片上方；(3)将薄片两侧向上折叠后将芯片包裹起来；(4)将所需引线焊接到位，用环氧塑封料将芯片、引线、磁屏蔽材料铸模固定。该磁屏蔽设计可以屏蔽90％以上外界磁场的面内分量以及50％以上的垂直分量。该屏蔽设计可兼容BGA封装，工序较为简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 封装 屏蔽 方法 | ||
【主权项】：
磁存储芯片封装的磁屏蔽方法，其特征在于，用磁屏蔽材料制成的薄片将所述芯片的全部上表面、全部下表面、部分或全部侧面包裹以实现磁屏蔽效果。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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