[发明专利]一种PECVD沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法

摘要

本发明提供一种PECVD沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法，其步骤如下在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱和P型GaN层；通过刻蚀，露出部分N型GaN层；在露出的部分N型GaN层上形成N型扩展条；在P型GaN层表面制作导电金属层；PECVD沉积DBR层，DBR层为Si3N4层和SiO2层交替沉积的介质膜；通过BOE湿法腐蚀，在N型扩展条和导电金属层上分别形成N电极和P电极窗口；电极窗口内淀积金属层，分别形成负焊盘和正焊盘电极；对芯片研磨、减薄和切割，完成芯片的制作；本发明采用PECVD交替沉积Si3N4层和SiO2层作为DBR层，且采用BOE湿法腐蚀对DBR层进行刻蚀，该方法形成的DBR层的绝缘性好、光学反射率高、制作简单、成本低、且耗时较短，能够解决现有倒装LED芯片技术中遇到的问题。

主权项

一种PECVD沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一. 提供一蓝宝石衬底（8），在所述蓝宝石衬底（8）上依次生长N型GaN层（7）、量子阱和P型GaN层（6），完成LED芯片的外延结构；步骤二. 通过光刻掩膜版的遮挡，刻蚀部分区域的P型GaN层（6）和量子阱，露出部分N型GaN层（7）；步骤三. 通过光刻掩膜版的遮挡，在露出的部分N型GaN层（7）上形成N型扩展条（4）；步骤四. 通过光刻掩膜版的遮挡，在P型GaN层（6）表面制作导电金属层（5）；步骤五. 通过PECVD技术，工艺温度在200~300℃下，在步骤四完成后的芯片表面淀积DBR层（3），所述DBR层（3）为Si3N4层和SiO2层交替沉积的介质膜，工艺过程的时间为30~60min；步骤六. 通过光刻掩膜版的遮挡，对DBR层（3）进行湿法腐蚀，所述湿法腐蚀的时间为4~10min，所述湿法腐蚀液为BOE溶液，通过湿法腐蚀，在N型扩展条（4）上形成了N电极窗口，在导电金属层（5）上形成了P电极窗口；步骤七. 通过电子束蒸镀方法，在N电极窗口和P电极窗口内淀积金属层，P电极窗口内的金属层形成正焊盘电极（1），N电极窗口内的金属层形成负焊盘电极（2）；步骤八. 采用常规工艺对芯片进行研磨、减薄和切割，完成芯片器件加工制作。