[发明专利]一种薄膜晶体管面板结构及制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管面板结构及制作方法，该结构包括：作为扫描线的第一金属层；第一金属层上的第一钝化层；第一钝化层上的有机膜层；有机膜层上的第二钝化层；穿过所述第一钝化层、有机膜层及第二钝化层的过孔；通过所述过孔与所述第一金属层接触的作为栅极的第二金属层；覆盖栅极的第三钝化层；第三钝化层上的半导体有源层；以及作为数据线、源极、漏极和像素电极的第三金属层。本发明可以使像素中的平板寄生电容和平行寄生电容的两极间距增大，减小寄生电容，减小像素噪声，提高像素性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管面板结构，其特征在于，包括：第一金属层，图形化作为扫描线；第一钝化层，位于所述第一金属层之上；有机膜层，位于所述第一钝化层之上；第二钝化层，位于所述有机膜层之上；过孔，穿过所述第一钝化层、有机膜层及第二钝化层，露出所述第一金属层；第二金属层，位于所述第二钝化层之上，图形化作为栅极，并通过所述过孔与所述第一金属层接触；第三钝化层，位于所述第二钝化层之上，并包括覆盖所述第二金属层表面的部分；半导体有源层，位于所述过孔外围覆盖所述第二金属层表面的第三钝化层之上；第三金属层，位于所述第三钝化层之上，图形化作为数据线、源极、漏极和像素电极，所述源极和所述漏极分别位于所述半导体有源层上且互不接触，所述数据线与所述漏极连接，所述像素电极与所述源极连接。