[发明专利]用于晶体管栅极的帽盖介电结构在审
| 申请号： | 201610915037.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107039527A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | A·W·罗森鲍姆;D-H·梅伊;S·S·普拉丹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 邬少俊,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书涉及用于微电子器件的微电子晶体管、包括非平坦晶体管的制造领域。本说明书的实施方案涉及形成凹进的栅极电极，所述栅极电极被基本上没有空洞的介电体帽盖介电结构所覆盖，该结构可以用高密度等离子方法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 栅极 帽盖介电 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管栅极，其包括：一对栅极间隔体，布置在所述一对栅极间隔体之间的凹进的栅极电极；以及基本上没有空洞的帽盖介电结构，所述基本上没有空洞的帽盖介电结构布置为邻近于所述凹进的栅极电极，并且在所述一对栅极间隔体之间。
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