[发明专利]磁极辅助非平衡磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201610906281.6 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106637109B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 石永敬 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置，包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架，衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁控电极设置在真空室上侧的中心位置处，辅助磁极设置在非平衡磁控电极的两侧；或者非平衡磁控电极均匀分布在以真空室上侧中心为圆心的同一圆周上，辅助磁极均匀分布在真空室内壁的等高线上和/或设置在真空室上侧的中心位置处，当存在偶数个非平衡磁控电极时，至少一对并排设置的非平衡磁控电极的两侧设置有辅助磁极，当存在奇数个非平衡磁控电极时，均匀分布在真空室内壁的等高线上的辅助磁极的个数等于非平衡磁控电极的个数。通过本发明可以提高沉积薄膜在成分、微观结构及厚度上的均匀性高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁极 辅助 平衡 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置，其特征在于，包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架，所述衬底承载架设置在所述真空室的下侧，所述非平衡磁控电极均匀分布在以所述真空室上侧中心为圆心的同一圆周上，所述非平衡磁控电极的数量为N，其中N为奇数，所述辅助磁极的数量为(N+1)，其中N个辅助磁极均匀分布在所述真空室内壁的等高线上，且每一位于真空室内壁的等高线上的辅助磁极对应设置于一非平衡磁控电极的下侧，第(N+1)个辅助磁极设置于真空室上侧的中心位置处。
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