[发明专利]半导体装置的制作工艺在审
| 申请号： | 201610898698.2 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107958840A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 潘继岗 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司;联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/335;H01L21/02;H01L21/28;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的制作工艺，包含以下步骤。首先，在基底上形成栅极结构。然后，形成蚀刻停止层覆盖栅极结构，并且，利用高密度等离子体化学气相沉积制作工艺，在蚀刻停止层上形成介电层。后续，进行第一平坦化制作工艺以移除一部分的介电层，并在栅极结构上残留具有一定厚度的介电层。之后，再进行第二平坦化制作工艺，利用实质相同的移除速率同时移除介电层与蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制作工艺，其特征在于包含下列步骤：在一基底上形成一栅极结构；形成一蚀刻停止层覆盖该栅极结构；利用一高密度等离子体化学气相沉积制作工艺，在该蚀刻停止层上形成一介电层；进行一第一平坦化制作工艺以移除一部分的该介电层，并在该栅极结构上残留具有一定厚度的该介电层；以及进行一第二平坦化制作工艺，利用实质相同的移除速率移除该介电层与该蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
