[发明专利]过渡金属硫族化合物同质结、同质结二极管及同质结的制备有效
| 申请号： | 201610885644.2 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106549064B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张先坤;张铮;刘硕;林沛;申衍伟;杜君莉;柳柏杉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 化合物 同质 二极管 制备 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫族化合物同质结的制备方法，其特征在于，采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，对所述过渡金属硫族化合物纳米片的一部分区域进行保护，对所述过渡金属硫族化合物纳米片的未被保护区域进行酸处理以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，在过渡金属硫族化合物纳米片的被保护区域与未被保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。
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