[发明专利]具有缺陷探测电路的半导体芯片有效
| 申请号： | 201610879501.0 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107068637B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李宝罗;郑在皓;白南奎;禹孝锡;尹贤淑;李光镕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体芯片，包括：衬底上的栅极图案；栅极图案上的层间绝缘层；在层间绝缘层上的第一布线结构；以及电连接到所述栅极图案和第一布线结构的缺陷探测电路。第一布线结构通过接触插塞电连接到栅极图案，该接触插塞穿过所述层间绝缘层。所述缺陷探测电路电连接到所述栅极图案和第一布线结构，且所述缺陷探测电路被构造成探测所述第一布线结构以及所述栅极图案和衬底中的至少一个内的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极图案 布线结构 缺陷探测 层间绝缘层 电路 半导体芯片 接触插塞 电连接 衬底 电路电连接 探测 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：在衬底上的栅极图案，所述栅极图案邻近所述衬底的上表面，并且所述栅极图案沿着所述衬底的半导体芯片区域的边缘部分形成；在所述栅极图案上方的第一布线结构，所述第一布线结构与所述栅极图案间隔开，并且所述第一布线结构包括沿着所述半导体芯片区域的边缘部分形成的第一导电图案；第一接触插塞，将所述栅极图案电连接到所述第一布线结构的第一部分；电连接到所述栅极图案的第一缺陷探测电路；以及电连接到所述第一布线结构的第二缺陷探测电路。
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