[发明专利]具有缺陷探测电路的半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

在衬底上的栅极图案，所述栅极图案邻近所述衬底的上表面，并且所述栅极图案沿着所述衬底的半导体芯片区域的边缘部分形成；

在所述栅极图案上方的第一布线结构，所述第一布线结构与所述栅极图案间隔开，并且所述第一布线结构包括沿着所述半导体芯片区域的边缘部分形成的第一导电图案；

第一接触插塞，将所述栅极图案电连接到所述第一布线结构的第一部分；

电连接到所述栅极图案的第一缺陷探测电路；以及

电连接到所述第一布线结构的第二缺陷探测电路。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中：

所述栅极图案具有矩形环形状；以及

在平面图中，所述栅极图案的端部邻近所述第一缺陷探测电路和所述第二缺陷探测电路并彼此间隔开。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中：

所述第一布线结构还包括第一延伸线和第二延伸线；

所述第一导电图案具有矩形环形状；

在平面图中，所述第一导电图案的端部邻近所述第一缺陷探测电路和所述第二缺陷探测电路，并且彼此间隔开；

所述第一延伸线接触所述第一导电图案的侧壁并且朝向所述半导体芯片区域延伸；以及

所述第二延伸线与所述第一延伸线间隔开并接触所述第一接触插塞。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第一缺陷探测电路包括：

时钟信号电路，所述时钟信号电路电连接到所述栅极图案的第一端部分，所述时钟信号电路被构造成根据栅极时钟信号而操作；

缓冲器电路，所述缓冲器电路电连接到所述栅极图案的第二端部分；以及

输出电路，所述输出电路连接到所述缓冲器电路。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第二缺陷探测电路包括：

时钟信号电路，所述时钟信号电路电连接到所述第一导电图案的第一端部分，所述时钟信号电路被构造成根据第一导电图案时钟信号而操作；

缓冲器电路，所述缓冲器电路电连接到所述第一导电图案的第二端部分；以及

输出电路，所述输出电路连接到所述缓冲器电路。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

在所述第一布线结构上方的第二布线结构，所述第二布线结构与所述第一布线结构间隔开，并且所述第二布线结构包括沿着所述半导体芯片区域的所述边缘部分的第二导电图案；

第二接触插塞，所述第二接触插塞电连接到所述第二布线结构和所述第一布线结构的第二部分；以及

第三缺陷探测电路，所述第三缺陷探测电路电连接到所述第二布线结构。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，还包括：

在所述衬底的存储器单元区域中的多个存储器单元；

其中所述多个存储器单元在所述衬底和所述第一布线结构之间。

8.如权利要求7所述的半导体芯片，其中，所述多个存储器单元包括NAND快闪存储器器件的存储器单元。

9.如权利要求8所述的半导体芯片，其中，所述NAND快闪存储器器件是包括三维垂直NAND存储器阵列的三维存储器器件。