[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201610871615.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653607A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 杭州知通专利代理事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制作工艺，包括在注入n阱和p阱之前，在漂移区生长第一衬垫氧化层；在注入n阱和p阱的同时，将n阱和p阱打开区域的第一衬垫氧化层去掉；在去掉第一衬垫氧化层的区域生长第二衬垫氧化层，第二衬垫氧化层的厚度小于第一衬垫氧化层的厚度；在第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，利用氮化物薄膜下不同厚度的衬垫氧化层，形成长度不同的鸟嘴。由于厚衬垫氧化层区形成的较长鸟嘴，可有效提高击穿电压，而薄的衬垫氧化层区形成的较短鸟嘴，不影响工艺中其他器件的特性。利用本发明提供的半导体制作工艺制作的LDMOS结构，在不增加工艺成本的前提下，能够保持较低的导通阻抗且具有较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在注入n阱和p阱之前，在漂移区生长第一衬垫氧化层；在注入n阱和p阱的同时，将n阱和p阱打开区域的所述第一衬垫氧化层去掉；在去掉所述第一衬垫氧化层的区域生长第二衬垫氧化层，所述第二衬垫氧化层的厚度小于所述第一衬垫氧化层的厚度；在所述第一衬垫氧化层和所述第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，形成长度不同的鸟嘴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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