[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201610849607.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106252419B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟虎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底基板；在衬底基板上形成有固定电荷结构；在形成有固定电荷结构的衬底基板上形成有有源层、源极、漏极和栅极，有源层分别与源极和漏极连接；其中，固定电荷结构上的电荷为固定电荷，固定电荷结构包括：第一固定电荷块和第二固定电荷块，源极在第一固定电荷块上的正投影位于第一固定电荷块所在区域内，漏极在第二固定电荷块上的正投影位于第二固定电荷块所在区域内，且固定电荷结构与有源层接触。本发明无需使用高功函数的贵金属作为源、漏极，即可在源、漏极和有源层之间形成良好的欧姆接触，降低了薄膜晶体管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上形成有固定电荷结构；在形成有所述固定电荷结构的衬底基板上形成有有源层、源极、漏极和栅极，所述有源层分别与所述源极和所述漏极连接；其中，所述固定电荷结构上的电荷为固定电荷，所述固定电荷结构包括：间隔设置的第一固定电荷块和第二固定电荷块，所述源极在所述第一固定电荷块上的正投影位于所述第一固定电荷块所在区域内，所述漏极在所述第二固定电荷块上的正投影位于所述第二固定电荷块所在区域内，且所述固定电荷结构与所述有源层接触，所述固定电荷结构与所述漏极和所述源极均不接触。
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