[发明专利]元件芯片的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法。在对具有多个元件区域的基板进行分割来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中所利用的等离子处理工序之中，通过使基板暴露于第1等离子体中，从而将基板分割为元件芯片(10)，具备第1面(10a)、第2面(10b)以及连结第1面(10a)和第2面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)在载体(4)上成为相互空出间隔被保持的状态。通过使这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦的混合气体为原料气体的第2等离子体中，由此形成覆盖侧面(10c)的保护膜(12c)，来抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。

主权项

一种元件芯片的制造方法，以分割区域对基板进行分割来形成多个元件芯片，该基板具备：第1面，具有被所述分割区域划分出的多个元件区域；和第2面，处于与所述第1面相反的一侧，其中，所述元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备所述基板，该基板的所述第1面的一侧被载体支撑，并且该基板形成有耐蚀刻层，以使得该耐蚀刻层覆盖与所述元件区域对置的所述第2面的区域且使得与所述分割区域对置的所述第2面的区域露出；和等离子处理工序，在所述准备工序之后对被所述载体支撑的所述基板实施等离子处理，所述等离子处理工序包括：分割工序，通过使所述第2面暴露于第1等离子体中，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板沿着该基板的深度方向蚀刻至所述第1面为止而将所述基板分割为元件芯片，具备所述第1面、所述第2面以及连结所述第1面和所述第2面的侧面的元件芯片在所述载体上成为相互空出间隔被保持的状态；和保护膜形成工序，在所述分割工序之后，通过使所述元件芯片以相互空出间隔地保持于所述载体上的状态暴露于第2等离子体中，从而在所述元件芯片的所述侧面形成保护膜，所述第2等离子体的原料气体为氟化碳和氦的混合气体。