[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201610798600.6 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106129122B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘威;方金钢 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管包括：衬底基板；依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极金属层、绝缘层和源漏电极层，其中，所述绝缘层在第一温度下沉积得到以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分被导体化，所述有源层的被导体化的部分与所述源漏电极层电连接。在第一温度下沉积绝缘层薄膜的过程可使有源层进一步失氧，从而使其导电性能增强，进而可提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：衬底基板；依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极金属层、绝缘层和源漏电极层，其中，所述绝缘层在第一温度下沉积得到以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分被导体化，所述有源层的被导体化的部分与所述源漏电极层电连接；所述第一温度为290℃及以上。
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