[发明专利]磨削磨轮以及被加工物的磨削方法有效
申请号: | 201610795577.5 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106505012B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 不破德人;小山真史;山下真司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/463 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供磨削磨轮以及被加工物的磨削方法,能够将被加工物磨削得更为平坦。该磨削磨轮(1)用于对板状的被加工物(11)进行磨削,其具有:圆盘状的磨轮基台(3),其具有磨削时与被加工物相对的第1面(3a);以及多个磨削磨具(5),它们呈环状地排列在磨轮基台的第1面上,在磨轮基台的周向上相邻的两个磨削磨具在磨轮基台的径向上配置在不同的位置上。 | ||
搜索关键词: | 磨削 以及 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种磨削磨轮,其用于对板状的被加工物进行磨削,其特征在于,该磨削磨轮具有:圆盘状的磨轮基台,其具有磨削时与被加工物相对的第1面;以及多个磨削磨具,它们呈环状排列在该磨轮基台的该第1面上,在该磨轮基台的周向上相邻的两个该磨削磨具在该磨轮基台的径向上配置在不同的位置上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610795577.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造