[发明专利]一种基于表面半导体工艺的射频微机电开关及其制备方法在审
| 申请号： | 201610772249.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298371A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李志东;董鹏;陈瑞;边旭明;段斌;赵宏忠 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01H49/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于表面半导体工艺的射频微机电开关及其制备方法。射频微机电开关由衬底、电极接触孔、驱动电极、隔离电阻和钝化层、共面波传输线、共面波导地线、锚点、悬臂梁结构、上接触点、弓形结构、通孔等组成。射频微机电开关的制备方法主要包括:衬底清洗、驱动电极制备、隔离电阻制备、共面波导传输线图形制备、牺牲层制备、钝化层制备及悬臂梁结构制备、牺牲层结构释放等工艺步骤，使制造过程简单易控，提高生产成品率，同时改善射频微机电开关的机械特性和电学性能指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 半导体 工艺 射频 微机 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于表面半导体工艺的射频微机电开关，其特征在于，该开关包括：衬底(1)；在所述衬底(1)上设有隔离电阻(4)，所述隔离电阻(4)两端与电极接触孔(2)和驱动电极(3)相连；在所述隔离电阻(4)、电极接触孔(2)和驱动电极(3)上设有钝化层(5)；在所述钝化层(5)上设有共面波导传输线(6)、共面波导地线(7)；所述共面波导地线(7)上设有锚点(8)；所述锚点(8)与悬臂梁结构(9)相接；所述悬臂梁结构(9)上设有接触点(11)、通孔(10)；所述悬臂梁结构(9)为弓形结构，所述悬臂梁结构(9)上的弓形下凹结构(12)与驱动电极(3)相对应。
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- 刘泽文;张玉龙;龚著浩 - 苏州希美微纳系统有限公司
- 2018-03-28 - 2018-07-13 - H01H59/00
- 本发明涉及一种高性能高功率容量的射频MEMS开关，包括有衬底，其中：衬底上铺设有微波传输信号线，微波传输信号线两侧分布有地线，微波传输信号线的一端连接有悬臂梁，悬臂梁的前侧、左侧、右侧及其下方设置有触点分布区域，触点分布区域内设置有若干接触点，接触点分布区域与微波传输信号线互联，悬臂梁下方设置有驱动电极。由此，避免了由趋肤效应所带来的信号功率集中于某几个触点的现象，进而减小了由于部分接触点失效而导致整体开关失效的可能，改善了器件的可靠性。各个接触点所承受的功率较为平均，增加了器件的功率容量。在未增加器件尺寸的情况下实现了器件功率容量的提高，拥有较佳的兼容效果。
- 一种三维微/纳机电开关及其制备方法-201410692942.0
- 郭建军;易志然;许高杰 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2014-11-26 - 2018-06-26 - H01H59/00
- 本发明公开了一种三维微/纳机电开关及其制备方法，该三维微/纳机电开关包括具有绝缘基底，所述绝缘基底上设有两个基底电极、各个基底电极上垂直连接有微纳米线，以所述微纳米线的顶端作为开关触点。制备方法如下：(1)在具有绝缘层的基底上制备基底两个相互隔离的基底电极；(2)采用电化学沉积法在各个基底电极上制备微纳米线，即得到所述的三维微/纳机电开关。本发明的三维微/纳机电开关闭合电压较低、器件尺寸小，便于实现高度集成。且制备方法简单，易于实现，制作周期短，可制作高自由度三维微纳米线。
- 制备高性能射频微机电系统开关的方法及微机电系统开关-201711417684.5
- 刘泽文;李琳松;杨中宝;印青 - 苏州希美微纳系统有限公司
- 2017-12-25 - 2018-06-08 - H01H59/00
- 本发明涉及一种高性能射频微机电系统开关及其制备方法，包括衬底，衬底的底面上沉积有10nm～10000nm不透明材质的薄膜衬底的顶面上封贴有若干微机电开关，衬底的顶面上还设置有封帽，每一个所述微机电开关与对应封帽相各自键合设置，被包裹的所述微机电开关与封帽之间设有活动间隙区域，使封帽能下按或弹起设置。通过薄膜的安装、微机电开关和封帽的键合工艺同时在采用薄膜剥离工艺可以制备出射频性能优异的气密性微机电开关。本发明使用玻璃衬底保证MEMS开关的高性能，同时满足现有设备自动化生产的需求，而是用封帽工艺则保证了MEMS开关的可靠性。
- 具有恒定电容的MEMS器件-201510083334.4
- C·F·李;R·C·格金;P·L·菲兹格拉德 - 亚德诺半导体集团
- 2015-02-16 - 2018-04-24 - H01H59/00
- 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。
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