[发明专利]一种具有P型埋层的积累型DMOS有效
| 申请号： | 201610705723.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106057906B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;曹晓峰;陈哲;李爽;陈文梅;林育赐;谢驰;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有P型埋层的积累型DMOS。本发明的一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内有P型埋层，可以在体内场板的基础上进一步优化横向电场，提高器件的击穿电压；槽型栅电极底部采用的厚氧结构，栅漏电容可以得到有效的降低。采用本发明可以在反向击穿电压相同的情况下，具有较小的阈值电压、较小的导通电阻等优良特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型埋层 积累 dmos | ||
【主权项】：
1.一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N‑漂移区(3)和金属化源极(12)；所述N‑漂移区(3)上层具有N‑型轻掺杂区(8)、P型掺杂区(9)、P+重掺杂区(10)和N+重掺杂区(11)；所述P+重掺杂区(10)和N+重掺杂区(11)的上表面与金属化源极(12)接触，所述N+重掺杂区(11)位于两侧的P+重掺杂区(10)之间并与其相互接触；所述P型掺杂区(9)位于P+重掺杂区(10)的正下方并与其相互接触；所述N‑型轻掺杂区(8)位于N+重掺杂区(11)的正下方并与其相互接触；所述N‑漂移区(3)还具有槽型栅电极和体内场板(6)，所述槽型栅电极沿垂直方向依次贯穿N+重掺杂区(11)和N‑型轻掺杂区(8)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述槽型栅电极由栅氧化层和位于栅氧化层中的栅电极(4)组成，其中栅氧化层的上表面与金属化源极(12)接触，栅氧化层的底部形成厚氧化层；所述体内场板(6)沿垂直方向依次贯穿P+重掺杂区(10)和P型掺杂区(9)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述体内场板(6)的上表面与金属化源极(12)接触，体内场板(6)的侧面和底部被氧化层(5)包围；其特征在于，所述N‑漂移区(3)中还包括多个浮空的P型埋层(7)，所述P型埋层(7)位于栅氧化层和氧化层(5)的正下方；当器件正向导通时，栅电极(4)接正电位，金属化漏极(1)接正电位，金属化源极(12)接零电位；当器件反向阻断时，栅电极(4)和金属化源极(12)短接且接零电位，金属化漏极(1)接正电位。
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