[发明专利]制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆有效

申请号：	201610683007.7	申请日：	2016-08-18
公开（公告）号：	CN106981413B	公开（公告）日：	2019-11-22
发明（设计）人：	洪奇成;王喻生;陈文成;魏浩涵;钟明锦;郑志成	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L29/423
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;TW
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明揭露一种制造氮化钽隔离层的方法及金属栅极堆。制造用于超低临界电压半导体装置的氮化钽隔离层的方法包含：形成一高介电常数介电层于一半导体基材上。接着，形成一氮化钽隔离层于该高介电常数介电层上，其中该氮化钽隔离层具有一钽氮比(Ta:N)介于1.2至3之间。再来，沉积多个第一金属栅极于该氮化钽隔离层上，并且图案化位于该于该氮化钽隔离层上的该多个第一金属栅极。最后，形成一第二金属栅极于该氮化钽隔离层上。氮化钽隔离层的钽氮比可精准调整，且氮化钽隔离层抑制不同层间物质扩散，介电泄滞的情况大幅减少。
搜索关键词：	制造氮化隔离方法金属栅极
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【主权项】：

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：/n形成高介电常数介电层于半导体基材上；/n形成氮化钽隔离层于所述的高介电常数介电层上，包括调整沉积温度介于摄氏275-300度之间；以及调整氨气流量容量介于500-700毫升/分钟；/n沉积多个第一金属栅极于所述的氮化钽隔离层上；/n移除位于所述的氮化钽隔离层上的所述的多个第一金属栅极中的一个，使所述的氮化钽隔离层暴露；/n图案化暴露的所述的氮化钽隔离层；/n形成第二金属栅极于经图案化后的所述的氮化钽隔离层上；以及/n形成间隔体在经图案化后的所述的氮化钽隔离层和所述的第二金属栅极的两侧壁上。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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