[发明专利]具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件有效
| 申请号： | 201610674649.0 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106549042B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;金文铉;赵槿汇;前田茂伸;吴汉洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 第一 栅极 电极 第二 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；有源区域，在所述基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，在所述基板上，所述第一栅极电极跨过所述有源区域并在第二方向上延伸，所述第一栅极电极在所述第一方向上具有第一宽度；以及第二栅极电极，在所述第一栅极电极上，所述第二栅极电极在所述第二方向上延伸，所述第二栅极电极在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610674649.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现无线通信的方法及终端
- 下一篇：一种无线链路失败的处理方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
