[发明专利]一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610651540.5 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106252501A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;李桂苗;刘景全;杨春生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/313 | 分类号： | H01L41/313;H01L41/337;H01L41/053;H01L41/113 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 徐红银;郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于柔性衬底上的压电厚膜及其制备方法，所述方法将原始硅衬底上沉积一层绝缘层后形成原始衬底层，之后利用环氧树脂胶将其沉积绝缘层的一面与溅射上电极的压电材料键合；将压电材料减薄为压电厚膜层后与柔性衬底层键合；通过DRIE、湿法刻蚀或RIE进行背面原始衬底层的刻蚀，去除原始衬底层。本发明具有工艺简单易实现、适用于多种结构、易于微加工工艺相结合、增强器件的柔韧性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 压电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于柔性衬底上的压电厚膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、以硅片为基底，在硅片上制作绝缘层，作为原始衬底层；步骤2、在压电材料上制作上电极层；步骤3、将原始衬底层与制作有上电极层的压电材料键合；步骤4、对压电材料减薄成压电厚膜层，之后在压电厚膜层上制作下电极层；步骤5、将压电厚膜层与柔性衬底层键合；步骤6、采用DRIE或湿法刻蚀去除原始衬底层的硅；步骤7、采用RIE去除原始衬底层中的绝缘层，得到基于柔性衬底上的压电厚膜。
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