[发明专利]具有电阻器层的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610592356.8 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106449639B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈奕铮;黄宏麟;黄俊贤;林瑀宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种包括电阻器层的半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底的第一区上方的栅极结构以及邻近栅极结构形成的层间介电(ILD)层。半导体器件结构还包括电阻器层，其形成在衬底的第二区上方的ILD层上方，并且电阻器层的主结构是非晶的。本发明还提供了用于形成半导体器件结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻器 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底，其中所述衬底包括第一区和第二区；栅极结构，形成在所述衬底的所述第一区上方；层间介电(ILD)层，邻近所述栅极结构形成；以及电阻器层，形成在所述衬底的所述第二区上方的所述ILD层上方，其中，所述电阻器层的主结构是非晶的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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