[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，通过在栅极的蚀刻制程中对栅极进行过度蚀刻，使所述栅极的尺寸小于其上方光阻层的尺寸，且所述光阻层的边缘超出所述栅极的边缘一段距离，从而在后续沉积半导体导体化诱导金属材料时，形成的诱导金属层与对应于栅极下方的第一绝缘层之间存在一定间隙，采用诱导金属层诱导其下方的氧化物半导体层导体化后，形成的第一、及第二导体区分别与对应于所述栅极下方的沟道区之间存在一段距离，避免第一、及第二导体区影响沟道区，提升TFT器件的电学性能。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一层氧化物半导体薄膜，并对所述氧化物半导体薄膜进行图形化处理，形成氧化物半导体层(20)；步骤2、在所述氧化物半导体层(20)、及基板(10)上沉积第一绝缘层(30)，在所述第一绝缘层(30)上沉积第一导电层(40)；在所述第一导电层(40)上形成光阻层(50)，并对所述光阻层(50)进行图形化处理；步骤3、以所述光阻层(50)为遮挡层，对所述第一导电层(40)进行蚀刻，得到栅极(41)，所述栅极(41)的尺寸小于所述光阻层(50)的尺寸，且所述光阻层(50)的边缘超出所述栅极(41)的边缘一段距离；步骤4、以所述光阻层(50)与栅极(41)为遮挡层，对所述第一绝缘层(30)进行蚀刻，使所述第一绝缘层(30)的边缘与所述栅极(41)的边缘对齐；步骤5、以所述光阻层(50)为掩膜，在所述氧化物半导体层(20)及基板(10)上沉积半导体导体化诱导金属材料，形成位于所述第一绝缘层(30)外围的诱导金属层(60)，所述诱导金属层(60)与所述第一绝缘层(30)之间存在一定间隙；步骤6、剥离所述光阻层(50)，对所述诱导金属层(60)进行退火处理，所述诱导金属层(60)诱导其下方的氧化物半导体层(20)导体化，在所述氧化物半导体层(20)上形成分别位于两侧的第一导体区(21)与第二导体区(22)、以及位于所述第一导体区(21)与第二导体区(22)之间的半导体区(23)，所述半导体区(23)中对应于所述栅极(41)下方的区域为沟道区(231)；步骤7、对所述诱导金属层(60)进行氧化处理，使所述诱导金属层(60)转化为不导电的金属氧化物层(61)；步骤8、在所述栅极(41)、金属氧化物层(61)、及氧化物半导体层(20)上形成第二绝缘层(70)；对所述第二绝缘层(70)、及金属氧化物层(61)进行图形化处理，在所述第二绝缘层(70)与金属氧化物层(61)上形成对应于所述第一导体区(21)上方的第一过孔(71)以及对应于所述第二导体区(22)上方的第二过孔(72)；在所述第二绝缘层(70)上沉积第二导电层(80)，对所述第二导电层(80)进行图形化处理，形成源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)通过所述第一过孔(71)与所述氧化物半导体层(20)的第一导体区(21)相接触，所述漏极(82)通过所述第二过孔(72)与所述氧化物半导体层(20)的第二导体区(22)相接触。