[发明专利]硅靶材结构及其制造方法以及硅靶材组件的制造方法在审
| 申请号： | 201610561654.0 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107620048A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;章晨 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C18/18;C23C18/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种硅靶材结构及其制造方法以及硅靶材组件的制造方法，硅靶材结构的制造方法包括，提供硅靶材，所述硅靶材具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述硅靶材焊接面上形成铜镀层。本发明利用化学镀工艺，稳定的在硅靶材焊接面上形成铜镀层，所述铜镀层与常用焊料或背板具有很好的浸润性，从而显著的改善硅靶材与其他材料的焊接性能，使得硅靶材可以与背板实现可靠的结合，以满足硅靶材组件长期稳定使用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅靶材 结构 及其 制造 方法 以及 组件 | ||
【主权项】：
一种硅靶材结构的制造方法，其特征在于，包括：提供硅靶材，所述硅靶材具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述硅靶材焊接面上形成铜镀层。
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