[发明专利]键合晶圆制作方法在审
| 申请号： | 201610545388.2 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106098535A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 邹文;胡胜;王喜龙 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种键合晶圆制作方法，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并在所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第一面进行键合工艺形成键合晶圆；在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面形成保护层；以及在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面进行后续工艺，所述后续工艺包含采用等离子体的工艺。本发明所提供的键合晶圆制作方法通过在键合晶圆表面沉积氮化物或氮氧化物的保护层，防止后续工艺中键合晶圆上器件结构受到的等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 键合晶圆 制作方法 | ||
【主权项】：
一种键合晶圆制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并在所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第一面进行键合工艺形成键合晶圆；在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面形成保护层；以及在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面进行后续工艺，所述后续工艺包含采用等离子体的工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
