[发明专利]平面栅功率器件结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，在栅极材料层侧壁形成侧墙，减小栅源失效的风险。另外，通过光刻和刻蚀工艺在第二窗口中形成第三窗口后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀所述第三窗口侧壁的掩蔽层，即使掩蔽层横向侵蚀，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，避免导通电阻等异常情况的出现，在减少光刻成本情况下保证器件的结构实现，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

一种平面栅功率器件形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成栅极材料层；进行光刻和刻蚀工艺，在所述栅极材料层中形成第一窗口；进行P阱注入以及退火工艺，在所述半导体衬底中形成P阱；进行N型区注入以及退火工艺，在所述P阱中形成N型区；在所述栅极材料层上以及第一窗口表面淀积阻挡层，并对所述阻挡层进行回刻蚀工艺，形成第二窗口，所述栅极材料层侧壁的阻挡层被保留下来构成侧墙；在所述栅极材料层上淀积掩蔽层，并进行光刻和刻蚀工艺，在所述第二窗口中形成第三窗口，所述第三窗口的横截面宽度小于所述第二窗口的横截面宽度；进行P型区注入以及退火工艺，在所述第三窗口底部形成P型区，所述P型区穿透所述N型区；刻蚀所述第三窗口侧壁的掩蔽层，形成第四窗口，所述第四窗口暴露所述N型区的上表面；以及在所述第四窗口中填充导电材料形成源极结构。