[发明专利]一种硅波导的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅波导的制作方法，包括：S1：在硅衬底表面上沉积一掩膜层，所述掩膜层为氧化硅层或氮化硅层；S2：利用硅波导沟槽加工的光刻版，采用光刻工艺在所述掩膜层表面形成光刻胶窗口，第一次刻蚀后去除表面残留的光刻胶；S3：采用干法等离子体刻蚀工艺进行第二次刻蚀，刻蚀的深度为X+Y，刻蚀后去除残留的掩膜层；所述X为硅波导所要求刻蚀的深度，所述Y为额外的损耗深度；S4:采用平坦化工艺去除厚度为Y的硅层，得到所需要的硅沟槽。本发明能够在当前已有的刻蚀工艺水平上大大改善硅沟槽的侧壁粗糙度，降低硅基光波导的传输损耗。

主权项

1.一种硅波导的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在硅衬底(21)表面上沉积一掩膜层(31)，得到硅晶圆(22)；所述掩膜层(31)为氧化硅层或氮化硅层；S2：利用硅波导沟槽加工的光刻版，采用光刻工艺在所述掩膜层(31)表面形成光刻胶窗口(32)，第一次刻蚀后去除表面残留的光刻胶；S3：采用干法等离子体刻蚀工艺进行第二次刻蚀，刻蚀的深度为X+Y，刻蚀后去除残留的掩膜层(31)，所述X为硅波导所要求刻蚀的深度，所述Y为额外的损耗深度；S4:采用平坦化工艺去除厚度为Y的硅层，得到所需要的硅沟槽(23)，所述步骤S4中采用的平坦化工艺为光刻胶刻蚀平坦化工艺，所述光刻胶刻蚀平坦化工艺包括如下步骤：在步骤S3得到的硅晶圆(22)表面覆盖光刻胶进行第三次刻蚀，覆盖于所述硅沟槽(23)内的光刻胶与覆盖于所述硅晶圆(22)表面的光刻胶的高度差不超过覆盖于所述硅晶圆(22)表面光刻胶厚度的10％，光刻胶和硅之间的刻蚀选择比为1：1～1:1.5。