[发明专利]多通道显微镜半导体综合测试系统在审
| 申请号： | 201610469520.6 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107544012A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;张佩佩;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/303;G01R31/307;G01R31/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种多通道显微镜半导体综合测试系统，是将红外发光显微技术（EMMI）、激光束诱导电阻率变化测试技术（OBIRCH）、微探针检测技术、扫描电子显微镜技术（SEM）结合在一起形成一种多通道显微镜半导体综合测试系统。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞、通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电，是发光显微技术的有力补充；微探针检测技术是以微探针快捷方便地获取IC内部电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线等。本系统可进行多种失效测试技术，减少测试设备，测试步骤少，操作简单、方便。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 显微镜 半导体 综合测试 系统 | ||
【主权项】：
多通道显微镜半导体综合测试系统，其特征在于，是将红外发光显微技术（1）、激光束诱导电阻率变化测试（2）、微探针检测（4）、扫描电子显微镜（3）结合在一起的一种多通道显微镜半导体综合测试系统。
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