[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法有效
| 申请号： | 201610454900.2 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106057989B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；最后生长的量子垒层包括量子垒子层，量子垒子层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为InGaN层，第三子层为AlGaN层，第二子层和第四子层均为GaN层，第一子层的生长温度低于量子阱层的生长温度，第三子层的生长温度高于第一子层的生长温度；其它的量子垒层为GaN层，其它的量子垒层为多量子阱层中，除最后生长的量子垒层之外的所有量子垒层。本发明可以提高内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；其中，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；最后生长的所述量子垒层包括量子垒子层，所述量子垒子层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层为InGaN层，所述第三子层为AlGaN层，所述第二子层和所述第四子层均为GaN层，所述第一子层的生长温度低于所述量子阱层的生长温度，所述第三子层的生长温度高于所述第一子层的生长温度；其它的所述量子垒层为GaN层，其它的所述量子垒层为所述多量子阱层中，除最后生长的所述量子垒层之外的所有所述量子垒层；所述量子阱层为InGaN层。
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