[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板

摘要

本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板，通过采用氧化物半导体来制作开关TFT，利用氧化物半导体开关迅速和具有较低漏电流的优势，提高开关TFT的开关速度并降低其漏电流；通过采用多晶硅来制作驱动TFT，利用多晶硅具有较高的电子迁移率和晶粒均一的特点，提高驱动TFT的电子迁移率和电流输出均一性，有利于提高OLED器件的发光均一程度。

主权项

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成间隔设置的第一栅极(21)与第二栅极(22)，在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅薄膜(31)；步骤2、对所述非晶硅薄膜(31)进行硼离子掺杂，然后对所述非晶硅薄膜(31)进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄膜(31)结晶转化为低温多晶硅薄膜(32)，所述低温多晶硅薄膜(32)中硼离子的掺杂浓度从上到下逐渐减小；步骤3、对所述低温多晶硅薄膜(32)进行图形化处理，得到对应于第二栅极(22)上方的多晶硅层(40)；步骤4、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于第一栅极(21)上方的氧化物半导体层(50)；步骤5、在所述氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成一金属层(51)，采用一道半色调光罩制程对所述金属层(51)、及多晶硅层(40)进行图形化处理，得到设于所述氧化物半导体层(50)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述氧化物半导体层(50)两侧相接触的第一源极(71)和第一漏极(72)、以及设于所述多晶硅层(40)与栅极绝缘层(30)上且分别与所述多晶硅层(40)两侧相接触的第二源极(73)和第二漏极(74)，同时在所述多晶硅层(40)上对应于所述第二源极(73)与第二漏极(74)之间的区域形成一凹槽(41)，使得所述多晶硅层(40)上位于凹槽(41)下方的部分形成沟道区(42)，所述多晶硅层(40)上位于沟道区(42)两侧的区域分别形成源极接触区(43)与漏极接触区(44)；步骤6、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、氧化物半导体层(50)、多晶硅层(40)、及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(80)，在所述钝化层(80)上形成平坦层(90)；对所述平坦层(90)、钝化层(80)、及栅极绝缘层(30)进行图形化处理，在所述平坦层(90)与钝化层(80)上形成对应于第一漏极(72)上方的第一通孔(91)、及对应于第二漏极(74)上方的第二通孔(92)，在所述平坦层(90)、钝化层(80)、及栅极绝缘层(30)上形成对应于第二栅极(22)上方的第三通孔(93)；步骤7、在所述平坦层(90)上形成连接导电层(110)与像素电极(120)，所述连接导电层(110)经由第一通孔(91)、及第三通孔(93)分别与所述第一漏极(72)、及第二栅极(22)相接触，从而连接所述第一漏极(72)与第二栅极(22)，所述像素电极(120)经由第二通孔(92)与所述第二漏极(74)相接触；在所述连接导电层(110)、像素电极(120)、及平坦层(90)上形成像素定义层(130)，对所述像素定义层(130)进行图形化处理，得到对应于所述像素电极(120)上方的第四通孔(134)。