[发明专利]半导体设备的成膜方法以及半导体设备的氮化铝成膜方法

摘要

本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。

主权项

1.一种半导体设备的成膜方法，其特征在于，包括：依序进行多次溅射流程，以分别在多批次基板上形成薄膜，其中，各所述溅射流程包括：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与所述基板之间；在所述腔室内通入惰性气体以对所述靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对所述靶材的表面进行预处理；将所述遮蔽盘从所述靶材与所述基板之间移开，并利用所述靶材对所述基板进行主溅射以在所述基板上形成薄膜；以及将所述基板移出所述腔室；其中，对第N批次基板进行的所述溅射流程的所述表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的所述溅射流程的所述表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0的正整数。