[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201610381612.9 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107452418A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张昆辉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器装置，包括多个存储器阵列、多个字线驱动电路以及多个传感放大电路。多个字线驱动电路分别以平行上述多个存储器阵列的一第一方向，配置于上述多个存储器阵列之间，并耦接于上述多个存储器阵列之一。多个传感放大电路分别以平行上述多个存储器阵列的一第二方向，配置于上述多个存储器阵列之间，并耦接于上述多个存储器阵列之一。在每一多个存储器阵列所对应的字线驱动电路和传感放大电路之间的一区域包括多个控制电路，其中上述多个控制电路所包含的晶体管都是NMOS晶体管。根据本发明，将可使得字线驱动电路和传感放大电路之间的交会区域可达到更有效率的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：多个存储器阵列；多个字线驱动电路，分别以平行上述多个存储器阵列的一第一方向，配置于上述多个存储器阵列之间，并分别耦接于上述多个存储器阵列之一；多个传感放大电路，分别以平行上述多个存储器阵列的一第二方向，配置于上述多个存储器阵列之间，并分别耦接于上述多个存储器阵列之一；其中在每一上述多个存储器阵列所对应的上述字线驱动电路和上述传感放大电路之间的一区域包括多个控制电路，且上述多个控制电路所包含的晶体管都是NMOS晶体管。
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