[发明专利]一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法

摘要

本发明是一种射频LDMOS的晶体管的“Γ”型栅及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小；通过“Γ”型栅的下端与表端相结合，实现LDMOS最小化的栅特征尺寸与最小化栅阻的相结合。有益效果是:实现了深亚微米栅的形成；消除了深亚微米细线条光刻的套刻偏差；栅多晶硅的表面合金，降低了栅极电阻；“Γ”型栅结构可以重复垒加，进一步大幅降低栅阻大小；“Γ”型结构栅，实现与场板自然隔离，提高场板保护性能；该“Γ”型栅结构有效解决了亚微米细栅线条与栅阻之间的矛盾。

主权项

1.一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小；通过 “Γ”型栅的下端与表端相结合，实现LDMOS最小化的栅特征尺寸与最小化栅阻的相结合；所述“Γ”型栅的结构，等同于半“T”型栅结构，其“Γ”表端垂直于下端，表端向源端方向扩展，而向漏端方向扩展为零或很少，降低与场板之间的寄生电容，同时留下更大场板的制作空间；所述“Γ”型栅的结构，采用一个“Γ”型栅单独使用或采用多个“Γ”型栅叠加使用，当采用多个“Γ”时，叠加的“Γ”型栅采用金属结构，进一步降低电阻；所述“Γ”型栅的结构，与之对应的场板采用阶梯型结构，其与“Γ”型栅在纵向方向上逐渐展开距离，有效降低了场板与栅之间的寄生电容；所述场板多晶硅在栅多晶硅之前制作形成，在制作栅氧化时，场板多晶硅侧壁氧化形成的SiO2与栅多晶硅的自然隔离，提高场板保护效果。