[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201610352649.9 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107025923B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 裴成镐;金智善;郑圣蓉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;G11C8/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体存储器装置及其操作方法。提供了一种具有改进的可靠性的半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括联接在位线与源极线之间的多个单元串，所述多个单元串中的每一个包括分别联接至选择线的选择晶体管以及分别联接至多条字线的多个存储器单元；以及外围电路，该外围电路用于对所述多个存储器单元当中的已选择的存储器单元执行读取操作。所述外围电路在所述读取操作中比对所述多条字线进行放电更早地对所述选择线进行放电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作包括联接在位线与源极线之间的多个单元串的半导体存储器装置的方法，每个单元串包括分别联接至选择线的选择晶体管以及分别联接至多条字线的多个存储器单元，该方法包括以下步骤：对联接有所述多个存储器单元当中的已选择的存储器单元的已选择的字线施加读取电压，并且对联接有所述多个存储器单元当中的未选择的存储器单元的未选择的字线施加通过电压；读取存储在所述已选择的存储器单元中的数据；以及在对所述已选择的字线和所述未选择的字线进行放电之前，对所述选择线中的至少一条进行放电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610352649.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：位置检测传感器
- 下一篇：具有颗粒粒子的、用于连接两个车辆部件的粘结介质
